摘要：
台积电和英伟达两大芯片巨头，传来新消息！ 12月5日，有报道称，台积电正与英伟达洽谈，在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产Blackwell人工智能芯片。英伟达于今年3月... 台积电和英伟达两大芯片巨头，传来新消息！
12月5日，有报道称，台积电正与英伟达洽谈，在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产Blackwell人工智能芯片。英伟达于今年3月推出了Blackwell系列芯片，客户对这款芯片的需求很高，目前已经供不应求。据悉，台积电已在为其美国新工厂明年初投产该芯片做准备。
芯片领域的另外几则消息，也引发市场关注。日前有传闻称，SK海力士将采用台积电3nm制程生产第六代高频宽內存HBM4。另外，还有消息称，马斯克的xAI已订购10.8亿美元的英伟达GB200 AI服务器，并获得优先交付权。此外，12月5日，越南计划投资部发布声明称，越南总理范明政当日会见到访的英伟达CEO黄仁勋。英伟达同越南政府签署协议，将在该国建设AI研发中心。
来看详细报道！
英伟达、台积电最新
据路透社报道，多位知情人士称，台积电正与英伟达洽谈，讨论在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产英伟达的Blackwell人工智能芯片。知情人士称，台积电正在为明年初投产做准备。对此，台积电和英伟达拒绝发表评论。
Blackwell是英伟达今年3月发布的AI芯片。英伟达表示，生成式AI和加速计算领域的客户对其Blackwell芯片的需求很高，目前已经供不应求。据悉，在为聊天机器人提供答案等任务中，Blackwell芯片的速度最高要快30倍，同时功耗降低了25倍。
知情人士称，上述协议一旦敲定，将为台积电亚利桑那州工厂争取到另一个客户，该工厂计划于明年开始批量生产。目前，苹果和AMD是台积电亚利桑那州新工厂的现有客户。
报道提到，尽管台积电计划在亚利桑那州生产英伟达Blackwell芯片的前端工艺，但这些芯片仍需要运回中国台湾地区进行封装。这是因为亚利桑那州的设施目前不具备芯片上晶圆基板（CoWoS）封装能力，这是Blackwell芯片所必需的关键技术。台积电所有的CoWoS封装产能目前都集中在中国台湾地区。
台积电是世界上最大的合同芯片制造商，如今正投资数百亿美元在美国凤凰城建造三座工厂。英伟达目前正在全力生产Blackwell芯片，且在努力扩大明年的产能，但仍将供不应求。
研究公司Creative Strategies的CEO兼首席分析师Ben Bajarin表示：“与之前的芯片相比，Blackwell采用了更先进的封装技术，这就增加了一个难题。”Bajarin预计，整个2025年英伟达的Blackwell芯片都将处于供不应求的局面。
英伟达是人工智能热潮的主要受益者，今年以来，该公司的股价已经上涨近2倍，总市值超过3.5万亿美元，为全球市值第二高的上市公司，仅比排名第一的苹果公司低1000亿美元。
目前，英伟达的下一代旗舰AI芯片Blackwell正在积极交付中。第三季度，包括微软、甲骨文和OpenAI在内的许多终端客户已经开始接收该公司的下一代人工智能芯片Blackwell。英伟达创始人兼CEO黄仁勋近日表示，Blackwell已“全面投入生产”。
另外两大传闻
日前，DigiTimes报道称，马斯克旗下的AI初创公司xAI，已向英伟达订购了价值10.8亿美元的GB200 AI服务器，并获得了优先交付权。预计英伟达将于2025年1月开始交付这些服务器，由富士康代工生产。
报道称，马斯克直接联系了英伟达CEO黄仁勋，讨论了xAI的GB200服务器订单事宜。优先获得英伟达的AI服务器有助于xAI更好地实现其目标。
黄仁勋和马斯克之间一直有良好的关系。黄仁勋曾多次公开赞赏特斯拉，表示“特斯拉在自动驾驶汽车方面遥遥领先。但总有一天，每一辆车都必须具备自动驾驶能力，这更安全、更方便，也更有趣。”
上个月，有消息称马斯克正在与英伟达讨论对xAI的潜在投资。当时，黄仁勋拒绝评论相关传闻，但认可了xAI团队的辛勤工作。
今年11月下旬，xAI在完成50亿美元的融资后，估值达到约500亿美元，在六个月内估值几乎翻了一倍。据知情人士透露，最新一轮的投资者包括卡塔尔投资局、Valor Equity Partners、红杉资本和Andreessen Horowitz。近日，还有消息称，马斯克旗下xAI公司计划最早于12月推出其旗下Grok聊天机器人的独立应用程序，与OpenAI竞争。
日前，还有消息称，SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4。《韩国经济新闻》报道称，传闻韩国存储芯片大厂SK海力士应重要客户的要求，将于2025年下半年以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。
报道称，消息人士透露，SK海力士已决定与台积电合作，最快明年3月就会发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片（base die）的垂直堆叠HBM4原型，而主要出货的客户是英伟达。
根据现有的消息来看，SK海力士会将其HBM4的基础裸片交由台积电3nm制程制造，有望相比之前的传闻的5nm制程带来20%~30%的提升。而三星的HBM4的基础裸片此前传闻将会采用4nm制程制造，这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具优势。
有业内人士近日爆料称，SK海力士之所以改为采用台积电3nm制程来制造HBM4基础裸片，是为了应对三星以4nm来生产HBM4基础裸片的声明。结果，三星现在也考虑以3nm生产HBM4基础裸片，甚至可能选用台积电的3nm制程。
